EE-SX770 2M - Omron - Built-in Amplifier Photo Microsensors

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EE-SX770 2M - Omron - Built-in Amplifier Photo Microsensors

Verstärkter photoelektrischer Sensor Standardgröße Gabel 5 mm NPN Impuls-Licht/Dunkel Kabel 2m Verstärkter photoelektrischer Sensor Standardgröße Gabel 5 mm NPN Impuls-Licht/Dunkel Kabel 2m

MPNs EESX7702M, OMREESX7702M, EE-SX770 2M
EAN 4536854355509
HS-Code 85365019
Weight 0.02 kg
Volumengewicht 0.03 kg
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Produktinformationen

technischen Spezifikationen

Schutzart (IP)
sonstige
Schutzart (NEMA)
sonstige
Spannungsart
DC
Werkstoff des Gehäuses
Kunststoff
Bemessungssteuerspeisespannung DC
4.5;26.4 V
Bemessungssteuerspeisespannung AC 50 Hz
0;0 V
Bemessungssteuerspeisespannung AC 60 Hz
0;0 V
Ausführung des elektrischen Anschlusses
Kabel
Umgebungstemperatur
-25;55 °C
Schaltfrequenz
3000 Hz
Explosionsschutz-Kategorie für Gas
ohne
Explosionsschutz-Kategorie für Staub
ohne
Max. Ausgangsstrom
100 mA
Ausführung der Schnittstelle für sicherheitsgerichtete Kommunikation
sonstige
Gehäusebauform
Sonderbauform
Breite des Sensors
18 mm
Höhe des Sensors
31.1 mm
Länge des Sensors
4 mm
Werkstoff des Kabelmantels
Polyvinylchlorid (PVC)
Durchmesser Sensor
-8888 mm
Anzahl der Halbleiter-Ausgänge mit Meldefunktion
1
Ausführung des Schaltausgangs
NPN
Ausführung der Schaltfunktion
Öffner (NC)
Max. Ausgangsstrom am sicheren Ausgang
-8888 mA
Betriebsmittel-Schutzklasse
Schutzklasse 3
Einstellverfahren
sonstige
Laserschutzklasse
ohne
Lichtart
Infrarotlicht
AWG-Nummer
28
Lichtfleck
-8888 mm²
Min. Reflektorabstand
-8888 mm
Reaktionszeit
0.17 ms
Reichweite des Schutzfeldes
-8888 m
Schaltspannung des OSSD im High-Zustand
-8888 V
Wellenlänge des Sensors
940 nm
Werkstoff der optischen Fläche
Kunststoff
Max. Schaltabstand
5 mm
Tastfunktion
dunkelschaltend
Bemessungsschaltabstand
5 mm
Gabeltiefe
9 mm
Gabelbreite
5 mm
Min. Objektgröße
0.8 mm

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