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RM600DG-130S Mitsubishi Electric

RM600DG-130S è un modulo di diodi ad alta tensione IGBT (Transistor Bipolare a Gate Isolato) ad alte prestazioni progettato per applicazioni avanzate di elettronica di potenza. Questo dispositivo a semiconduttore rappresenta una soluzione sofisticata per sistemi complessi di conversione e controllo dell’energia, offrendo eccellenti prestazioni elettriche e affidabilità.
454,38 USD Prezzo
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