EE-SX770 2M - Omron - Built-in Amplifier Photo Microsensors

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EE-SX770 2M - Omron - Built-in Amplifier Photo Microsensors

Sensor fotoelétrico amplificado tamanho padrão forquilha 5 mm NPN pulso-luz/escuro cabo 2m Sensor fotoelétrico amplificado tamanho padrão forquilha 5 mm NPN pulso-luz/escuro cabo 2m

MPNs EESX7702M, OMREESX7702M, EE-SX770 2M
EAN 4536854355509
Código HS 85365019
Weight 0.02 kg
Peso volumétrico 0.03 kg
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Informações do produto

Especificações técnicas

Degree of protection (IP)
Other
Degree of protection (NEMA)
Other
Voltage type
DC
Housing material
Plastic
Rated control supply voltage DC
4.5;26.4 V
Rated control supply voltage AC 50 Hz
0;0 V
Rated control supply voltage AC 60 Hz
0;0 V
Type of electric connection
Cable
Ambient temperature
-25;55 °C
Switching frequency
3000 Hz
Explosion safety category for gas
None
Explosion safety category for dust
None
Max. output current
100 mA
Type of interface for safety communication
Other
Construction type housing
Special construction
Width sensor
18 mm
Height of sensor
31.1 mm
Length of sensor
4 mm
Material of cable sheath
Polyvinyl chloride (PVC)
Diameter sensor
-8888 mm
Number of semiconductor outputs with signalling function
1
Type of switching output
NPN
Type of switch function
Breaker contact (NC)
Max. output current at protected output
-8888 mA
Operation agent-safety class
Safety class 3
Setting procedure
Other
Laser protection class
None
Type of light
Infrared light
AWG-number
28
Light dot
-8888 mm²
Min. reflector distance
-8888 mm
Response time
0.17 ms
Transmission range of the safety field
-8888 m
Switching voltage of OSSD at state "high"
-8888 V
Wavelength of the sensor
940 nm
Material of optical surface
Plastic
Max. switching distance
5 mm
Sensing mode
Dark switching
Rated switching distance
5 mm
Fork depth
9 mm
Fork width
5 mm
Min. object size
0.8 mm

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