EE-SX673P - Omron - Built-in Amplifier Photo Microsensors
NFS
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EE-SX673P - Omron - Built-in Amplifier Photo Microsensors

Barrera fotoeléctrica SLOT 5 MM Dark-ON / Light-ON (seleccionable) NPN - Montaje cercano, 50-100-mA Capacidad de conmutación Barrera fotoeléctrica SLOT 5 MM Dark-ON / Light-ON (seleccionable) NPN - Montaje cercano, 50-100-mA Capacidad de conmutación

MPNs EESX673P, OMREESX673P, EE-SX673P
EAN 4548583476196
Código HS 85365019
País de origen Japón
Weight 0 kg
Peso volumétrico 0 kg
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Información del producto

Especificaciones técnicas

Degree of protection (IP)
IP50
Degree of protection (NEMA)
Other
Voltage type
DC
Housing material
Plastic
Rated control supply voltage DC
4.5;26.4 V
Rated control supply voltage AC 50 Hz
0;0 V
Rated control supply voltage AC 60 Hz
0;0 V
Type of electric connection
Other
Ambient temperature
-25;55 °C
Switching frequency
3000 Hz
Explosion safety category for gas
None
Explosion safety category for dust
None
Max. output current
50 mA
Type of interface for safety communication
Other
Construction type housing
Special construction
Width sensor
13.4 mm
Height of sensor
12.8 mm
Length of sensor
22.2 mm
Material of cable sheath
Polyvinyl chloride (PVC)
Diameter sensor
-8888 mm
Number of semiconductor outputs with signalling function
1
Type of switching output
PNP
Type of switch function
Programmable/configurable
Max. output current at protected output
-8888 mA
Operation agent-safety class
Safety class 3
Setting procedure
Other
Laser protection class
None
Type of light
Infrared light
AWG-number
24
Light dot
-8888 mm²
Min. reflector distance
-8888 mm
Response time
0.17 ms
Transmission range of the safety field
-8888 m
Switching voltage of OSSD at state "high"
-8888 V
Wavelength of the sensor
940 nm
Material of optical surface
Plastic
Max. switching distance
5 mm
Sensing mode
Light-/dark switching
Rated switching distance
5 mm
Fork depth
9 mm
Fork width
5 mm
Min. object size
0.8 mm

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