Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварная иммунная-баллафов-модель BES 516-113-SA2-S4-CW-2 мм диапазон чувствительности-предварительно оснащенный 4-контактным мужским разъемом M12-1 x Цифровой выход (PNP Transistor; 200 мА) (NO (обычно открыт) или NC (обычно закрытая) операция) - цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с потоками M12 - 10-30 В постоянного тока (12 В постоянного тока / 24 В. ...+212 ° F / -20 ...+100 ° C Ambient - IP67 - Ощущаемая поверхность из нержавеющей стали PTFE). Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BES516113SA2S4CW

Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварная иммунная-баллафов-модель BES 516-325-S4-CW-2 мм диапазон чувствительности-предварительно оснащенный 4-контактным мужским разъемом M12-1 x цифровой вывод (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В пост. -25 ... + 70 ° C Ambient - IP67 - ПЛА -покрытый корпус из нержавеющей стали + PTFE (политетрафлюороэтилен) Земляющая поверхность - 1000 Гц / 1 кГц максимум. Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BES516325S4CW

Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварное ямно-иммунное-модель BES 516-325-S4-W-2 мм диапазон чувствительности-предварительно оборудованный 4-контактным соединителем A-кодированного A-кодирования-1 X Digital вывод (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В пост. -25 ... + 70 ° C окружающая среда - IP67 - Смпонимающий корпус с покрытием PTFE + LCP (жидкокристаллический полимер) Ощутительная поверхность - 1000 Гц / 1 кГц макс. Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BES516325S4W

Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварная иммунная-модель-модель BES 516-325-SA96-S4-W-2 мм диапазон чувствительных Цифровой выход (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В. F / -25 ... + 70 ° C Ambient - IP67 - латунный корпус с PTFE + поверхность керамического зондирования с покрытием - 1000 Гц / 1 кГц макс. Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BES516325SA96S4W

Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварное иммунное-шарич-модель BES 516-356-S4-CW-4 мм диапазон чувствительности-предварительно оборудованный 4-контактным мужским разъемом M12-1 x цифровой вывод (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В пост. -25 ... + 70 ° C Ambient - IP67 - ПЛА -покрытый корпус из нержавеющей стали + PTFE (политетрафлюороэтилен) Земляющая поверхность - 1000 Гц / 1 кГц максимум. Частота переключения - монтаж без флюша - эквивалентно BES516356S4CW

Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварное иммунное-шарич-модель BES 516-356-S4-W-4 мм диапазон чувствительных чувствительных (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В пост. -25 ... + 70 ° C Ambient - IP67 - ПЛА -покрытый корпус из нержавеющей стали + PTFE (политетрафлюороэтилен) Земляющая поверхность - 1000 Гц / 1 кГц максимум. Частота переключения - монтаж без флюша - эквивалентно BES516356S4W

Индуктивный датчик близости / выключатель-Weld-Immune-Balluff-Model BES M08MH1-PSC20B-S04G-101-2 мм диапазон чувствительных чувствительных ) (No (нормально открытая) работа) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M8 - 12-30 В постоянного тока (12 В постоянного тока / 24VDC Nom.) Напряжение питания - оценено по -13 ...+158 ° F / -25 ... + 70 ° C Ambient - IP67 - никелированное латунное корпус + покрытая керамическая поверхность - 700 Гц макс. Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BESM08MH1PSC20BS04G101

Индуктивный датчик близости / выключатель-Weld-Immune-Balluff-Model BES M08MH1-PSC30B-S04G-101-3-миллиметровый диапазон восприятий-предварительно оборудованный 4-контактным A-кодированным разъемом A-кодировки-1 X Digital вывод (PNP Transistor; 200 мА 200 мА ) (NO (Обычно открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M8 - 10-30VDC (12VDC / 24VDC NOM.) Напряжение питания - оценено по -13 ...+158 ° F / -25 ... + 70 ° C Ambient - IP67 - хромированное латунное корпус + покрытый керамический зондирование - 1000 Гц / 1 кГц макс. Частота переключения - монтаж Quasi -Flush - эквивалентно BESM08MH1PSC30BS04G101

Индуктивный датчик близости / переключатель с полному металлическому / стаи конструкции-Weld-Immune-Balluff-Model BES M12EI-PSC40B-S04G-S03-4 мм диапазон чувствительности-предварительно оборудованный 4-контактным A-кодированным мужским разъемом-1 x цифровой Выходные (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - цилиндрическое / стволовое тело с полным резьбовым корпусом с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В. / -25 ... + 70 ° C Ambient - Оценка для 60BAR - IP67 - Корпус из нержавеющей стали с покрытием + поверхность зондирования из нержавеющей стали + PTFE (политетрафторээтилен) сенсорная поверхность - 500 Гц максимум. Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BESM12EIPSC40BS04GS03

Индуктивный датчик близости / выключатель-магнитное поле-иммунное-сварная иммунная (PNP Transistor; 200 мА) (NO (нормально открытая) операция) - Цилиндрический / ствол полностью резьбовой корпус с резьбами M12 - 10-30VDC (12 В постоянного тока / 24 В пост. +5 ... +60 ° C Ambient - IP67 - PTFE -покрытый латунный корпус +LCP (жидкокристаллический полимер) / PTFE (политетрафторээтилен) чувствительная поверхность - максимум 300 Гц. Частота переключения - монтаж промывки - эквивалентно BESM12MIPSC30BS04GW